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气相沉积炉

气相沉积炉

产品描述

气相沉积炉是一种用于在材料表面沉积薄膜或涂层的热处理设备,通过化学气相沉积(CVD)技术实现。在此过程中,气态前驱物在高温条件下在基底材料表面发生化学反应,生成固态沉积物。这个过程在控制的气氛和精确的温度条件下进行,以确保薄膜的均匀性和特定的物理化学性质。

联系电话:18660125960
产品详情

产品简介:

博纳热CVD/PECVD气相沉积炉是一种基于等离子体化学气相沉积技术的薄膜沉积设备,能够对各种材料进行薄膜沉积,包括金属、半导体、绝缘体等。可广泛应用于微电子、光电、平板显示、储能等领域。

产品特点:

l 最高温度:1200℃(HRE电阻丝加热)。

l 智能化50段可编程自动控制。

l 超温保护功能,当温度超过允许设定值自动断电。

l 安全保护当炉体漏电时自动断电。

l 炉壳结构,双层风冷结构;表面温度低于50℃。

l 炉膛采用日本技术真空吸附成型的优质氧化铝多晶纤维无机材料,保温性能极佳。

l 304不锈钢KF快卸密封法兰。

l 升温速率 ≦20℃/分。

l 控温精度 ±1℃。

l 薄膜沉积速率高:射频辉光技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S。

l 大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%。

l 一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%。

l 工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定。

l 标配直连式真空泵,极限真空度可达10Pa。

l 标配三路质量流量计。

l 等离子射频电源:大射频功率达500W,输出频率13.56MHz±0.005%,输入电源 208-240VAC, 单相50/60Hz。

可选配件:

● 真空系统可根据客户需求选择(最高真空度可达7x10-4Pa,分子泵真空系统)。

● 可提供混气系统及质量流量计,满足多路气体的混合及流量的精准控制。

● 高清触控屏。

技术参数:

产品名称

CVD化学气相沉积系统

产品型号

BR-CVD/PECVD

滑道

带滑道,可滑动炉膛,实现快速升温或冷却功能

加热区长度

400mm  单温区/双温区

炉管尺寸

直径60x1200mm 外径x长

炉管材质

高纯石英管

工作温度

≤1100℃

温控系统

人工智能PID仪表,自动控制温度

温控精度

±1℃ (具有超温及断偶报警功能)

加热速率

建议 0~10℃/min

加热元件

高品质电阻丝

真空系统

额定电压

单相 220V 50Hz

可通气体

氮气、氩气等惰性气体

测温元件

热电偶测温

壳体结构

双层壳体结构带风冷系统

真空法兰

带有进气口,另一端带控压阀,气动泄压阀和放气阀。

供气系统

四路精密质子流量计,通过触屏来调节气体流量

真空系统

旋片泵,真空度在空炉冷态可达1pa, 真空计:进口数显真空计实时显示真空度,精度高。

气体定量系统

整体可以控制压力范围-20kpa到20kpa(相对压力)

额定电压

单相 220V 50Hz

射频电源(仅PECVD)

信号频率

13.56 MHz±0.005%

功率输出范围

500W

最大反射功率

500W

射频输出接口

50Ω,N-type,female

功率稳定度

±0.1%

谐波分量

≤-50dbc

供电电压

单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ

整机效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷却方式

强制风冷

型号

炉管直径x加热区长度(mm)

炉管长度(mm)

功率(kW)

最高温度(℃)

气体控制

真空度(Pa)

BR-CVD-60

Φ60×400

1200

3

1200

3路

10Pa/7x10-3

BR-CVD-80

Φ80×400

1200

4

1200

3路

10Pa/7x10-3

BR-CVD-100

Φ80×400

1200

6

1200

3路

10Pa/7x10-3

型号

炉管直径x加热区长度mm

功率(kW)

最高温度最高温度(℃)

射频电源

气体控制

真空度(Pa)

频率

功率

BR-PECVD-60

Φ60×450

4

1200

13.56MHz±0.005%

300-500W

3路

10Pa/7x10-3

BR-PECVD-80

Φ80×450

5

1200

3路

10Pa/7x10-3

BR-PECVD-100

Φ100×450

7

1200

3路

10Pa/7x10-3

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